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集成電路
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世界集成電路發(fā)展歷史
 

  1947年:貝爾實(shí)驗(yàn)室肖特萊等人發(fā)明了晶體管,這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑;

 集成電路

1950年:結(jié)型晶體管誕生

  1950年: R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝

  1951年:場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明

  1956年:C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝

  1958年:仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路,開(kāi)創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史;

  1960年:H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝

  1962年:美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

  1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù),今天,95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

  1964年:Intel摩爾提出摩爾定律,預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍

  1966年:美國(guó)RCA公司研制出CMOS集成電路,并研制出第一塊門(mén)陣列(50門(mén))

  1967年:應(yīng)用材料公司(Applied Materials)成立,現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司

  1971年:Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)

  1971年:全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工藝,這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明

  1974年:RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802

  1976年:16kb DRAM和4kb SRAM問(wèn)世

  1978年:64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬(wàn)個(gè)晶體管,標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路(VLSI)時(shí)代的來(lái)臨

  1979年:Intel推出5MHz 8088微處理器,之后,IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC

  1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問(wèn)世

  1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

  1985年:80386微處理器問(wèn)世,20MHz

  1988年:16M DRAM問(wèn)世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管,標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路(VLSI)階段

  1989年:1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)

  1989年:486微處理器推出,25MHz,1μm工藝,后來(lái)50MHz芯片采用 0.8μm工藝

  1992年:64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問(wèn)世

  1993年:66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝

  1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工藝;

  

集成電路

1997年:300MHz奔騰Ⅱ問(wèn)世,采用0.25μm工藝

  1999年:奔騰Ⅲ問(wèn)世,450MHz,采用0.25μm工藝,后采用0.18μm工藝

  2000年:1Gb RAM投放市場(chǎng)

  2000年:奔騰4問(wèn)世,1.5GHz,采用0.18μm工藝

  2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

  2003年:奔騰4 E系列推出,采用90nm工藝。

  2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工藝。

  2007年:基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

  2009年:intel酷睿i系列全新推出,創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝,并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

    我國(guó)集成電路發(fā)展歷史

  我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代,共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:

  1965年-1978年:以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo),以開(kāi)發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品,初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件

  1978年-1990年:主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備,改善集成電路裝備水平,在“治散治亂”的同時(shí),以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn),較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化

  1990年-2000年:以908工程、909工程為重點(diǎn),以CAD為突破口,抓好科技攻關(guān)和北方科研開(kāi)發(fā)基地的建設(shè),為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù),集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

    檢測(cè)常識(shí)

  1、檢測(cè)前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理

  檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件,那么分析和檢查會(huì)容易許多。

  2、測(cè)試不要造成引腳間短路

  電壓測(cè)量或用示波器探頭測(cè)試波形時(shí),表筆或探頭不要由于滑動(dòng)而造成集成電路引腳間短路,最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測(cè)量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路,在測(cè)試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。

  3、嚴(yán)禁在無(wú)隔離變壓器的情況下,用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備

  嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測(cè)試無(wú)電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器,當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí),首先要弄清該機(jī)底盤(pán)是否帶電,否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路,波及集成電路,造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。

  4、要注意電烙鐵的絕緣性能

  不允許帶電使用烙鐵焊接,要確認(rèn)烙鐵不帶電,最好把烙鐵的外殼接地,對(duì)MOS電路更應(yīng)小心,能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。

  5、要保證焊接質(zhì)量

  焊接時(shí)確實(shí)焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過(guò)3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看,最好用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路,確認(rèn)無(wú)焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。

  6、不要輕易斷定集成電路的損壞

  不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測(cè)得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí),也不一定都能說(shuō)明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。

  7、測(cè)試儀表內(nèi)阻要大

  測(cè)量集成電路引腳直流電壓時(shí),應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬(wàn)用表,否則對(duì)某些引腳電壓會(huì)有較大的測(cè)量誤差。

  8、要注意功率集成電路的散熱

  功率集成電路應(yīng)散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

  9、引線要合理

  如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分,應(yīng)選用小型元器件,且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。

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